위비트 나노 ‘Re램’ 성능·내구성 또 입증…DB하이텍 ‘화색’

[더구루=오소영 기자] 이스라엘 차세대 메모리 반도체 회사 위비트 나노가 ‘Re램(Resistive Random-Access Memory·저항변화형 메모리)’의 성능과 내구성을 또 입증했다. 차세대 메모리 상용화에 가까워지며 DB하이텍과의 기술 파트너십도 속도가 날 전망이다. 

27일 위비트 나노에 따르면 이 회사는 Re램 모듈의 온도·내구성 테스트를 실시했다. 그 결과 최대 영상 150도의 온도에서도 안정한 성능 발휘를 확인했다. 최대 10만회까지 데이터를 저장하고 지울 수 있었다.

위비트 나노는 내달 3~6일(현지시간) 인도 벵갈루루에서 열리는 세계 반도체 학회 ‘전기전자공학자협회(IEEE EDTM) 2024’에서 테스트 결과를 발표할 예정이다. 이 학회는 세계 각지를 돌며 최근 반도체 기술을 공유하는 행사다. 국제고체회로학회(ISSCC), VLSI와 함께 세계 3대 반도체 학회로 꼽힌다.

위비트 나노는 이번 테스트로 Re램의 성능을 입증하고 상용화를 앞당긴다. 코비 하녹 위비트 나노 최고경영자(CEO)는 “우리가 달성한 성능은 자동차 회사의 요구 사항과 일치한다”며 “위비트의 Re램이 마이크로컨트롤러유닛(MCU)과 기타 자동차 부품은 물론이고 내구성을 요하는 수많은 애플리케이션에 사용될 수 있음을 재확인했다”고 밝혔다.

Re램은 필라멘트 구조가 있는 소자에 전압을 가해 저항이 높고 낮은 상태를 구분해 데이터를 저장하는 메모리다. 기존 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 빠르다. 많은 정보를 저장할 수 있고 전력 소모량도 적어 차세대 메모리로 불리고 있다. 대용량·저전력이 요구되는 모바일과 자율주행차, 사물인터넷(IoT), 드론, 로봇, 전력 반도체 등 다양한 분야에 활용될 것으로 예상된다.

2015년 설립된 위비트 나노는 Re램 개발에 특화된 기업이다. 미국 스카이워터테크놀로지의 130나노미터(㎚·10억분의 1m) 상보적 금속산화막 반도체(CMOS) 프로세서에 Re램 모듈을 탑재했었다. 125℃ 고온에서 안정적인 작동을 검증했다.

위비트 나노가 연이은 테스트에서 좋은 결론을 도출하면서 DB하이텍과의 시너지도 본격화될 것으로 보인다. DB하이텍은 작년 10월 위비트 나노와 기술 라이선스를 체결했다. 130나노 BCD 공정에서 위비트 나노의 Re램 기술을 활용한다. BCD 공정은 Bipolar(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 기술로 주로 전력 반도체 생산에 쓰인다.

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