[단독] 삼성, 중국에서 1분기에만 ‘3D D램·로봇’ 등 특허 1800건↑ 확보

더구루 2024.04.03 조회수

[더구루=정예린 기자] 삼성이 중국에서 올해 1분기에만 1800건이 넘는 특허권을 손에 넣었다. 새로운 특허 포트폴리오에는 반도체는 물론 전고체 배터리와 로봇에 이르기까지 삼성의 차세대 기술이 대거 포함되며 현지에서 신사업을 도모할 수 있는 기반을 마련했다.

3일 중국 국가지적재산권국(SIPO)에 따르면 SIPO는 삼성전자, 삼성디스플레이, 삼성SDI, 삼성전기 등이 2021년부터 출원한 특허 총 804건을 승인했다. △1월 560건 △2월 463건 △3월 804건을 합치면 1분기에만 1827건에 달하는 특허권을 내준 셈이다.

3월 특허 승인 현황을 살펴보면 다른 달과 마찬가지로 삼성전자가 관계사 중 가장 많은 특허를 인정받았다. 한 달간 당국이 승인한 삼성전자 특허는 499건에 달한다. △삼성디스플레이(255건) △삼성전기(27건) △삼성SDI(23건) 순이었다. 삼성 관계사 전체를 합쳐 일 평균 약 26건의 특허권을 확보한 셈이다.

삼성전자가 출원한 특허는 반도체 관련 기술이 주를 이뤘다. 메모리 반도체 설계·제조 방법과 패키징 기술, 이미지센서 등 관련 내용이 포함됐다. 특히 로봇과 오디오 장치, 무선 통신 시스템 관련 특허도 눈에 띄었다. 세탁기와 의류처리장치 등 에 대한 특허도 확보해 가전 기술 경쟁력을 강화했다.

특히 3월에는 ‘꿈의 메모리’라 불리는 3차원(3D) 반도체 관련 기술 특허를 여러 건 확보했다. ‘3차원 반도체 장치 및 상기 3차원 반도체 장치의 제조 방법(특허번호 CN117790539A)’를 비롯해 총 5건이다. 삼성전자는 지난 2014년부터 중국에서 3D 메모리 반도체에 대한 특허권을 확보해왔다.

삼성전자는 오는 2025년 반도체 업계 최초로 3D D램을 공개한다는 방침이다. 3D D램은 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 단위 면적당 용량을 키운 제품이다. 대용량 데이터를 빠르게 처리할 수 있어 고대역폭메모리(HBM)과 함께 인공지능(AI) 시대 핵심 부품으로 자리잡을 것으로 예상된다.

삼성SDI는 ‘전고체 이차전지용 음극-고체 전해 양성자 집합체, 전고체 이차전지 및 전고체 이차전지의 제조방법(특허번호 CN117766860A)’이라는 제목의 특허를 얻었다. 전고체 배터리 관련 특허를 확보한 것은 중국에서 본격적인 전고체 배터리 시장이 개화하기 전 현지 배터리 업체와의 경쟁에 대비하기 위한 행보로 풀이된다. 지적재산권을 둘러싼 법적 분쟁을 최소화하고 시장 선점 효과를 얻을 수 있을 것으로 예상된다. 원통형 배터리와 이차전지용 양극재 제조 방법에 대한 특허권도 확보했다.

삼성디스플레이가 승인 받은 특허에는 △증착장치(특허번호 CN117802480A) △터치센싱모듈의 터치검사장치 및 검사방법(특허번호 CN117730303A) 등이 있다. 삼성전기는 인쇄회로기판과 카메라모듈, 적층세라믹캐패시터(MLCC) 등에 대한 특허권을 허가 받았다.

삼성은 작년 연말부터 중국에서 특허권을 대거 확보, 현지 기술 경쟁력 강화에 드라이브를 걸고 있다. SIPO와 긴밀한 협력 관계를 바탕으로 향후에도 특허 포트폴리오를 더욱 확대할 것으로 예상된다. 이를 통해 미중 갈등으로 주춤하고 있는 중국 시장에서 새로운 미래 먹거리를 발굴하고 특허 침해 소송 등에서 우위를 점할 수 있을 전망이다. <본보 2024년 2월 1일 참고 [단독] 삼성, 中 특허 1월에만 560건 승인...기술 경쟁력 '강력 드라이브'> / <본보 2024년 3월 5일 참고 [단독] 삼성, 1월 560건 이어 2월 463건...반도체·헬스케어·VR 등 中 특허 '봇물'>